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电子元器件详细资料 » IC[11176] » APTCV60HM45BC20T3G
型号:APTCV60HM45BC20T3G类别:IGBT制造商:Microsemi Power Products Group
封装:*描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

详细参数

类别IGBT
描述POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
系列-
制造商Microsemi Power Products Group
IGBT类型沟道和场截止
配置升压斩波器,全桥
电压_集电极发射极击穿111最大222600V
VgewwwwIc时的最大Vce111开2221.9V @ 15V,50A
电流_集电极(Ic)111最大22250A
电流_集电极截止111最大222250µA
Vce时的输入电容(Cies)3.15nF @ 25V
功率_最大250W
输入标准
NTC热敏电阻
安装类型*
封装/外壳*
供应商设备封装*

供应商

昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
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现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市瑞智芯科技有限公司李先生0755-83089975
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APTCV60HM45BC20T3G相关型号

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